ماژول SKM100GB12T4 یکی از IGBTهای دوبل برند Semikron Danfoss از سری SEMITRANS 2 است. این محصول دارای ولتاژ 1200 ولت، جریان نامی 100 آمپر و توپولوژی Half-Bridge بوده و برای کاربردهای صنعتی مانند اینورتر، UPS، کنترل موتور و تجهیزات جوشکاری الکترونیکی استفاده می‌شود.
در این ماژول از تکنولوژی IGBT4 Fast Trench و دیود داخلی CAL4 Soft Switching استفاده شده است. همچنین سازنده این مدل را برای فرکانس‌های سوئیچینگ تا 20kHz معرفی کرده است.
مشخصات فنی SKM100GB12T4
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| برند | Semikron Danfoss |
| پارت نامبر | SKM100GB12T4 |
| نوع محصول | IGBT Power Module |
| نوع | IGBT دوبل |
| توپولوژی | Half-Bridge |
| سری | SEMITRANS |
| پکیج | SEMITRANS 2 |
| ولتاژ | 1200V |
| جریان نامی | 100A |
| جریان کلکتور در Tc=25°C | 160A |
| جریان کلکتور در Tc=80°C | 123A |
| جریان پالسی ICRM | 300A |
| ولتاژ گیت VGES | ±20V |
| تکنولوژی چیپ | IGBT4 Fast Trench |
| دیود داخلی | CAL4 Soft Switching |
| جریان نامی دیود | 100A |
| فرکانس سوئیچینگ | تا 20kHz |
| ولتاژ ایزولاسیون | 4000V AC |
| ابعاد | 94 × 34 × 30 میلی‌متر |
| وزن | حدود 160 گرم |
| تکنولوژی پایه | DBC |
معرفی IGBT مدل SKM100GB12T4
SKM100GB12T4 یک ماژول IGBT دوبل با ساختار Half-Bridge است. در این ساختار دو IGBT قدرت در یک ماژول قرار گرفته‌اند و برای مدارهای نیم‌پل، اینورترها و مبدل‌های قدرت مناسب هستند.
جریان نامی این محصول 100 آمپر است. مقادیر 160 آمپر در Tc=25°C و 123 آمپر در Tc=80°C مربوط به شرایط مشخص دیتاشیت هستند و نباید به‌عنوان جریان نامی محصول در عنوان درج شوند.
ویژگی‌های SKM100GB12T4
- جریان نامی 100 آمپر
- ولتاژ 1200 ولت
- ساختار IGBT دوبل
- توپولوژی Half-Bridge
- تکنولوژی IGBT4 Fast Trench
- دارای دیود داخلی CAL4
- قابلیت سوئیچینگ تا 20kHz
- دارای مقاومت گیت داخلی
- صفحه پایه مسی ایزوله
- تکنولوژی DBC
- پکیج صنعتی SEMITRANS 2
- مناسب کاربردهای صنعتی قدرت
تکنولوژی IGBT4 Fast Trench
در SKM100GB12T4 از تکنولوژی IGBT4 Fast Trench استفاده شده است. این تکنولوژی برای عملکرد مناسب در مدارهای سوئیچینگ سریع و کاهش تلفات طراحی شده است.
به همین دلیل این ماژول در بسیاری از اینورترها، درایوهای موتور و تجهیزات الکترونیک قدرت قابل استفاده است.
ساختار Half-Bridge
یکی از مشخصات اصلی SKM100GB12T4، توپولوژی Half-Bridge است.
در این ساختار دو کلید IGBT در یک ماژول قرار دارند. به همین دلیل این محصول در دسته IGBTهای دوبل قرار می‌گیرد.
این توپولوژی در تجهیزات زیر کاربرد زیادی دارد:
- اینورترهای صنعتی
- درایو موتور
- UPS
- مبدل‌های قدرت
- تجهیزات جوشکاری
- منابع تغذیه صنعتی
دیود داخلی CAL4
این ماژول دارای دیودهای داخلی CAL4 Soft Switching است.
دیودهای داخلی در کاربردهای اینورتری و بارهای القایی اهمیت زیادی دارند و مسیر لازم برای عبور جریان معکوس را فراهم می‌کنند.
مشخصات الکتریکی
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| VCES | 1200V |
| ICnom | 100A |
| IC در Tc=25°C | 160A |
| IC در Tc=80°C | 123A |
| ICRM | 300A |
| VGES | ±20V |
| VGE(th) | 5 تا 6.5V |
| VGE(th) Typical | 5.8V |
افت ولتاژ VCE(sat)
در جریان 100 آمپر و ولتاژ گیت 15 ولت:
| دمای Junction | VCE(sat) تیپیک | حداکثر |
|---|---|---|
| 25°C | 1.80V | 2.05V |
| 150°C | 2.20V | 2.40V |
مقدار VCE(sat) یکی از مشخصه‌های مهم در بررسی تلفات هدایتی IGBT است.
مشخصات سوئیچینگ
در شرایط تست دیتاشیت، برخی مقادیر سوئیچینگ این ماژول به شرح زیر هستند:
| مشخصه | مقدار تیپیک |
|---|---|
| Turn-on Delay td(on) | 165ns |
| Rise Time tr | 47ns |
| Turn-on Energy Eon | 15mJ |
| Turn-off Delay td(off) | 400ns |
| Fall Time tf | 75ns |
| Turn-off Energy Eoff | 10.2mJ |
این مقادیر وابسته به شرایط مدار، جریان، دما و مقاومت گیت هستند.
مشخصات حرارتی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| محدوده دمای Junction | -40 تا +175°C |
| محدوده کاری توصیه‌شده | -40 تا +150°C |
| حداکثر دمای Case | 125°C |
| دمای ذخیره‌سازی | -40 تا +125°C |
| Rth(j-c) هر IGBT | 0.27 K/W |
| Rth(j-c) هر دیود | 0.48 K/W |
دمای 175 درجه سانتی‌گراد حداکثر دمای Junction است و نباید به‌عنوان دمای عادی کارکرد ماژول در نظر گرفته شود.
ابعاد و ساختار فیزیکی
SKM100GB12T4 در پکیج SEMITRANS 2 تولید می‌شود.
ابعاد این ماژول:
94 × 34 × 30 میلی‌متر
وزن تقریبی:
160 گرم
صفحه پایه این ماژول از مس ایزوله و تکنولوژی DBC یا Direct Bonded Copper استفاده می‌کند که برای انتقال مناسب حرارت به هیت‌سینک طراحی شده است.
کاربردهای SKM100GB12T4
این ماژول برای کاربردهای صنعتی مختلفی استفاده می‌شود، از جمله:
- اینورترهای صنعتی
- AC Inverter Drives
- UPS
- کنترل موتور
- منابع تغذیه صنعتی
- مبدل‌های قدرت
- تجهیزات جوشکاری الکترونیکی
- سیستم‌های الکترونیک قدرت
مزایای SKM100GB12T4
ساختار دوبل
وجود دو IGBT در یک ماژول، استفاده از SKM100GB12T4 را در مدارهای Half-Bridge ساده‌تر می‌کند.
جریان 100 آمپر
جریان نامی 100 آمپر، این محصول را برای تجهیزات صنعتی با توان متوسط تا بالا مناسب می‌کند.
ولتاژ 1200 ولت
این مدل در کلاس ولتاژی 1200 ولت قرار دارد و در بسیاری از تجهیزات صنعتی قدرت استفاده می‌شود.
جریان پالسی 300 آمپر
جریان پالسی ICRM این ماژول برابر 300 آمپر است.
سوئیچینگ سریع
تکنولوژی IGBT4 Fast Trench برای عملکرد در مدارهای سوئیچینگ سریع طراحی شده است.
دیود داخلی CAL4
وجود دیود داخلی CAL4 باعث می‌شود این محصول برای مدارهای اینورتری و بارهای القایی مناسب باشد.
هنگام خرید SKM100GB12T4 چه مواردی بررسی شود؟
برای خرید یا جایگزینی این ماژول باید موارد زیر بررسی شوند:
- پارت نامبر دقیق
- جریان 100 آمپر
- ولتاژ 1200 ولت
- توپولوژی Half-Bridge
- پکیج SEMITRANS 2
- ابعاد فیزیکی
- آرایش ترمینال‌ها
- Gate Driver
- ولتاژ گیت
- VCE(sat)
- فرکانس سوئیچینگ
- دیود داخلی
- شرایط هیت‌سینک و خنک‌کاری
مشابه بودن جریان و ولتاژ دو IGBT به‌تنهایی برای جایگزینی مستقیم کافی نیست.
سوالات متداول
SKM100GB12T4 چند آمپر است؟
جریان نامی این ماژول 100 آمپر است.
ولتاژ SKM100GB12T4 چقدر است؟
ولتاژ این ماژول 1200 ولت است.
SKM100GB12T4 تکی است یا دوبل؟
این مدل دارای توپولوژی Half-Bridge است و در دسته IGBTهای دوبل قرار می‌گیرد.
برند SKM100GB12T4 چیست؟
این محصول متعلق به برند Semikron Danfoss است.
پکیج SKM100GB12T4 چیست؟
این ماژول در پکیج SEMITRANS 2 تولید می‌شود.
آیا SKM100GB12T4 دیود داخلی دارد؟
بله، این مدل دارای دیودهای داخلی CAL4 Soft Switching است.
ابعاد SKM100GB12T4 چقدر است؟
ابعاد ماژول 94 × 34 × 30 میلی‌متر است.
فرکانس سوئیچینگ SKM100GB12T4 چقدر است؟
این محصول برای کاربردهای سوئیچینگ تا حدود 20kHz معرفی شده است.
